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        三極管驅(qū)動(dòng)mos管,三極管與MOS管驅(qū)動(dòng)介紹
        • 發(fā)布時(shí)間:2025-06-12 15:33:35
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        三極管驅(qū)動(dòng)mos管,三極管與MOS管驅(qū)動(dòng)介紹
        三極管驅(qū)動(dòng)MOS管電路解析
        在電子電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域,三極管用于驅(qū)動(dòng)MOS管的方案具有一定的可行性和應(yīng)用價(jià)值。
        MOS場(chǎng)效應(yīng)管作為典型的電壓驅(qū)動(dòng)器件,其充分導(dǎo)通的條件是柵極驅(qū)動(dòng)電壓需達(dá)到足夠大的幅度。然而,在實(shí)際應(yīng)用中,一些低壓IC電路,例如采用3.3V供電的單片機(jī)電路,其輸出電壓幅度相對(duì)較小,若直接用于驅(qū)動(dòng)MOS場(chǎng)效應(yīng)管,往往無(wú)法滿足管子完全導(dǎo)通的要求。
        針對(duì)這一情況,常見的解決方案是在電路中增加一級(jí)雙極型三極管驅(qū)動(dòng)電路,以此來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)MOS場(chǎng)效應(yīng)管的有效驅(qū)動(dòng)。具體電路設(shè)計(jì)如下:
        三極管驅(qū)動(dòng)mos管
        電路中的VT1為NPN型三極管,其基極輸入信號(hào)幅度僅為5V。而MOS場(chǎng)效應(yīng)管VT2具有較高的開啟電壓,通常要求其柵極驅(qū)動(dòng)電壓≥10V才能充分導(dǎo)通。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),電路引入了三極管驅(qū)動(dòng)環(huán)節(jié)。當(dāng)VT1基極處于5V高電平時(shí),VT1導(dǎo)通,此時(shí)VT2截止;而當(dāng)VT1基極處于低電平0V時(shí),VT1截止,其集電極的10V電壓(Rc上的壓降可忽略不計(jì))便直接施加到VT2的G極(柵極),從而使得VT2獲得充足的柵極電壓實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通。
        在采用三極管驅(qū)動(dòng)MOS場(chǎng)效應(yīng)管的電路設(shè)計(jì)中,需重點(diǎn)關(guān)注MOS場(chǎng)效應(yīng)管柵極所連接的電阻(即電路圖中的Rc)的取值,合理選擇該電阻的阻值對(duì)于電路的穩(wěn)定運(yùn)行和性能表現(xiàn)至關(guān)重要。
        在眾多應(yīng)用場(chǎng)景中,由于MOS管的驅(qū)動(dòng)閾值限制,直接使用MCU或SOC的GPIO電平往往難以驅(qū)動(dòng)MOS管的導(dǎo)通與關(guān)斷。此時(shí),在MOS的G極增設(shè)柵極驅(qū)動(dòng)電路成為了一種有效的解決手段,能夠使GPIO電平具備驅(qū)動(dòng)MOS的能力。
        以PMOS為例,當(dāng)PMOS的G極與S極相連時(shí),VGS=0V,PMOS會(huì)自開啟。若在PMOS的G極與GND之間引入一個(gè)SW開關(guān),便可以通過(guò)控制SW的通斷來(lái)實(shí)現(xiàn)G極電位在GND和Vin之間的切換,進(jìn)而控制PMOS的開啟與關(guān)閉。
        三極管驅(qū)動(dòng)mos管
        進(jìn)一步地,將圖1中的SW開關(guān)替換為三極管BJT,如圖2所示,便構(gòu)成了一個(gè)典型的BJT驅(qū)動(dòng)高邊PMOS的電路。電路中的C1、C2和Zener元件并非必需。其中,C1的作用是加速BJT的開啟過(guò)程,C2則有助于BJT的快速關(guān)斷,而Zener的功能是進(jìn)行VGS鉗位,防止瞬時(shí)電壓超出MOS的VGSmax耐壓范圍,從而避免損壞MOS。
        三極管驅(qū)動(dòng)mos管
        電路中的R1和R2處于同一條路徑上,可通過(guò)調(diào)節(jié)它們的阻值比例來(lái)改變分壓,進(jìn)而調(diào)整G極電位。當(dāng)Q2處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí),VG=VS,VGS=VG-VS=0V;而當(dāng)Q1導(dǎo)通時(shí),VG=Vin×{R2/(R1+R2)},VS=Vin,此時(shí)VGS=Vin×{R2/(R1+R2)}-Vin。若R1阻值較大,R2阻值較小,則VGS≈Vin。需要注意的是,若此時(shí)VGS接近或超過(guò)Q1的GS耐壓值VGSS,可能會(huì)導(dǎo)致PMOS損壞。因此,通過(guò)合理調(diào)整R1和R2的比例關(guān)系,可以將導(dǎo)通時(shí)的VGS值控制在-VGSS<VGS<VGSTHmin的安全范圍內(nèi)。
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