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      7. 驅(qū)動(dòng)電路中的誤開(kāi)通怎么避免
        • 發(fā)布時(shí)間:2023-04-13 17:30:19
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        驅(qū)動(dòng)電路中的誤開(kāi)通怎么避免
        避免驅(qū)動(dòng)誤開(kāi)通的方法
        門(mén)極電阻、電容法
        為了避免功率管的誤開(kāi)通,常用的方法是通過(guò)調(diào)整門(mén)極驅(qū)動(dòng)的電阻和電容,如圖所示。
        驅(qū)動(dòng) 誤開(kāi)通 MOSFET
        圖 1. 調(diào)整門(mén)極驅(qū)動(dòng)電阻和電容
        通過(guò)調(diào)節(jié)RON/ROFF 的大小可以來(lái)調(diào)整 MOSFET 的開(kāi)通/關(guān)斷速度:增大RON/ROFF來(lái)減慢MOSFET開(kāi)通/關(guān)斷的速度,減小 dv/dt (di/dt) 從而減小門(mén)極電壓尖峰。
        但另一方面,增大ROFF會(huì)使得門(mén)極驅(qū)動(dòng)線路上的電阻變大,Cgd上產(chǎn)生的位移電流流經(jīng) ROFF后的電壓也會(huì)相應(yīng)的變高,實(shí)際應(yīng)用中有時(shí)增大 ROFF并不能讓電壓尖峰有效的降低。另外由于增大ROFF會(huì)使 MOSFET 的關(guān)斷速度變慢,從而使 MOSFET 的功耗增大。
        在 MOSFET 的門(mén)極和源極之間并聯(lián)一個(gè)外部電容 CGS_E也可以降低門(mén)極電壓尖峰,但是它跟增大 RON/ROFF一樣, 會(huì)使 MOSFET 的整個(gè)開(kāi)、關(guān)速度都變慢,從而導(dǎo)致整 MOSFET 的功耗增大。
        米勒鉗位法
        為了有效的抑制由于米勒效應(yīng)帶來(lái)的門(mén)極誤開(kāi)通,可以在靠近功率管的門(mén)極處放一個(gè)三極管來(lái)防止在關(guān)斷期間的誤開(kāi)通,如圖。
        在關(guān)斷期間,由于 Vds較高的 dv/dt 使 Vg電壓升高,此時(shí) Q1 會(huì)導(dǎo)通,從而將 Vg電壓拉低防止誤開(kāi)通 MOSFET。在實(shí)際的應(yīng)用中要注意PCB布線的影響,Q1 要盡量的靠近功率 MOSFET 以減小 Q1、MOSFET 門(mén)極和源極之間的環(huán)路,從而降低整個(gè)環(huán)路路上的阻抗。
        驅(qū)動(dòng) 誤開(kāi)通 MOSFET
        圖 2. 外部三極管米勒鉗位
        通過(guò)將米勒鉗位引腳連接到靠近功率管門(mén)極處就能有效的抑制米勒尖峰的問(wèn)題。
        負(fù)壓驅(qū)動(dòng)法
        米勒鉗位電路能夠有效的抑制由于米勒效應(yīng)引起的門(mén)極電壓尖峰,但是對(duì)于由于寄生電感引起的誤開(kāi)通,米勒鉗位電路有時(shí)就不是非常的有效,此時(shí)給驅(qū)動(dòng)提供負(fù)電壓是一個(gè)比較好的解決辦法。
        驅(qū)動(dòng) 誤開(kāi)通 MOSFET
        圖 3. 利用穩(wěn)壓管產(chǎn)生負(fù)電壓
        圖3是利用穩(wěn)壓管 DZ, 電阻 RZ和電容 CZ在 DZ兩端產(chǎn)生穩(wěn)定的電壓VZ。當(dāng) OUT 出是高的時(shí)候,加在功率管門(mén)極的驅(qū)動(dòng)電壓是 VCC-VZ。
        而當(dāng) OUT 輸出為低的時(shí)候,加在功率管門(mén)極的驅(qū)動(dòng)電壓是 -VZ。這里要注意的是驅(qū)動(dòng)電流需要流經(jīng) CZ這個(gè)電容,為了保持 VZ電壓的穩(wěn)定,CZ的容值不能太小。
        驅(qū)動(dòng) 誤開(kāi)通 MOSFET
        圖 4. 利用隔直電容產(chǎn)生負(fù)壓
        圖4是利用隔直電容 CB來(lái)產(chǎn)生一個(gè)電壓 VCB,從而在 OUT 輸出為低的時(shí)候在功率管的門(mén)極提供負(fù)的 VCB 驅(qū)動(dòng)電壓。在輸出為高的時(shí)候,加在功率管兩端的門(mén)極電壓為 VCC-VCB。
        VCB這個(gè)電壓跟驅(qū)動(dòng)信號(hào)的占空比(Duty)相關(guān),VCB=VCC× Duty,所以這個(gè)電路比較適合用于占空比較穩(wěn)定的電路中。這個(gè)電路中的穩(wěn)壓管 DZ主要是用于鉗位 VCB電壓,防止在大占空比下 VCB電壓過(guò)高。
        對(duì)于驅(qū)動(dòng)電路中的誤開(kāi)通,需要根據(jù)實(shí)際的情況進(jìn)行分析并加以解決。調(diào)整功率器件的開(kāi)關(guān)速度能減小電壓尖峰,但是它或降低整個(gè)系統(tǒng)的效率。米勒鉗位電路對(duì)于因米勒效應(yīng)引起的門(mén)極尖峰有很好的抑制作用。
        PCB 走線對(duì)于門(mén)極電壓的尖峰有很大的影響,要盡量減小 PCB 走線帶來(lái)的寄生參數(shù)。負(fù)壓驅(qū)動(dòng)能很好的解決門(mén)極電壓尖峰問(wèn)題,但是它的代價(jià)是需要額外的負(fù)電壓或額外的輔助器件。
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