高端MOS為什么要自舉電路
眾所周知MOS是電壓型驅(qū)動，只有G極比S極高一個(gè)開啟電壓Vth之后，MOS才會導(dǎo)通（這里指NMOS）。
但是如下圖，用12V給G極，但是由于R7流過電流的時(shí)候存在壓降（歐姆定律）。導(dǎo)致S極被抬高。所以給到MOS的驅(qū)動電壓是G-S=12-8.42=3.58V。
在不是低壓MOS中，一般datasheet建議使用10V,或者12V來進(jìn)行驅(qū)動，雖然3.58V也能進(jìn)行導(dǎo)通，但是導(dǎo)通電阻Rds會比用10V驅(qū)動時(shí)大很多。帶來MOS發(fā)熱的問題。
解決的辦法有很多，比如可以用一個(gè)PMOS作為高端驅(qū)動。但是由于工藝的問題，PMOS作為高端MOS，存在性能差，想達(dá)到相同的性能價(jià)格又貴很多的問題。
這時(shí)自舉電路就應(yīng)運(yùn)而生了。如果有這么一個(gè)電路，能給G極產(chǎn)生一直比S極大10V的電路，即使這個(gè)電壓比電源電壓還要高。
分立元件搭建自舉電路
基本的概念有了，就可以用真實(shí)的電路圖代替進(jìn)行分析。
由于BUCK在MOS導(dǎo)通階段S極是浮地的。所以必須加上自舉電路來驅(qū)動。
具體分析如下：
XFG1信號發(fā)生器高電平時(shí)，Q2導(dǎo)通，由于Q2導(dǎo)通，給Q1的b極提供回路，Q1導(dǎo)通，經(jīng)過D2和R2給MOS進(jìn)行充電（Q4的b極是高電平，因?yàn)镽3流過電流形成壓降，所以Q4也是關(guān)閉的）。MOS導(dǎo)通。
XFG1信號發(fā)送器低電平時(shí)，Q2關(guān)閉，由于Q2關(guān)閉，Q1的b極沒有回路，Q1關(guān)閉，這時(shí)Q4的b極有R3這個(gè)回路，所以Q4導(dǎo)通，MOS的G極放電。MOS關(guān)閉。
仿真了一下在100K下的波形，綠色為MOS的G極到S極的波形，紅色是MOS的S到地的波形。就仿真的結(jié)果來看自舉的部分還是不錯(cuò)的。
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