反向電流阻斷定義
反向電流是指系統(tǒng)輸出端的電壓高于輸入端的電壓，導(dǎo)致電流反向流過系統(tǒng)。
反向電流阻斷來源：
MOSFET用于負(fù)載切換應(yīng)用時(shí)，體二極管變?yōu)檎蚱?/div>
當(dāng)電源從系統(tǒng)斷開時(shí)，輸入電壓突然下降。
需要考慮反向電流阻斷的場(chǎng)合：
功率多路復(fù)用供電采用mos管控制時(shí)
oring控制。ORing與功率多路復(fù)用類似，不同之處在于，不是選擇一個(gè)電源為系統(tǒng)供電，而是始終使用最高電壓為系統(tǒng)供電。
斷電時(shí)，特別是輸出電容比輸入電容大的多的時(shí)候，電壓下降的慢。
危害：
- 反向電流會(huì)損壞內(nèi)部電路和電源
- 反向電流尖峰還會(huì)損壞電纜和連接器
- mos管的體二極管功耗上升甚至損壞
優(yōu)化方法
1）采用二極管
二極管，特別是肖特基二極管，天然具有反向電流和反極性保護(hù)的功能，但是成本高，反向漏電流大，需要散熱。
2）采用背對(duì)背的mos管
兩個(gè)方向都可以阻斷，但是占板面積大，導(dǎo)通阻抗大，成本高，在mos管工作時(shí)，不能提供反向阻斷。
下圖中，控制三極管導(dǎo)通時(shí)，其集電極為低，兩Pmos管導(dǎo)通，當(dāng)三極管關(guān)斷時(shí)，若輸出比輸入高，右側(cè)mos管體二極管導(dǎo)通，使得其D級(jí)為高，使得G級(jí)為高，左側(cè)mos管體二極管不通，同時(shí)由于mos管的VSG為體二極管壓降達(dá)不到門檻電壓，所以兩mos管關(guān)斷，這樣阻斷輸出到輸入的電流。
3）反向mos管
反向mos管雖然可阻斷輸出到輸入的反電流，但缺點(diǎn)是從輸入到輸出總有一條體二極管通路，而且不夠智能，當(dāng)輸出大于輸入時(shí)，不能關(guān)斷mos管，還需加電壓比較電路，所以就有了后來的理想二極管。
4）負(fù)載開關(guān)
5）多路復(fù)用
多路復(fù)用：從兩個(gè)或更多個(gè)輸入電源之間選擇其中一個(gè)為單個(gè)輸出端供電。
6）理想二極管
形成理想二極管有兩個(gè)目標(biāo)，一個(gè)是模擬肖特基，二是必須有輸入輸出比較電路，來使其反向關(guān)斷。
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