可控硅開關原理
可控硅開關又叫晶閘管，是晶體閘流管（Thyristor）的簡稱，故稱可控硅，它是一種大功率開關型半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。
可控硅開關也即是俗稱無觸點開關丶用雙向可控硅丶或者單向可控硅為開關器件，具有開關速度快丶帶負載能力強，功耗小，無噪聲等特點。廣泛應用于各種自動化控制電路中。
可控硅開關的工作原理如下：
（1）導通
柵極懸空時，BG1和BG2截止，沒有電流流過負載電阻RL。
柵極輸入一個正脈沖電壓（注入觸發(fā)電流Ig）時，BG2導通，VCE（BG2）下降，VBE（BG1）升高。
正反饋過程：
Ig↑→Ic2↑→Ia↑→Ic1↑→Ig↑ 使BG1和BG2進入飽和導通狀態(tài)。
電路很快從截止狀態(tài)進入導通狀態(tài)。
由于正反饋的作用柵極Ig沒有觸發(fā)將保持導通狀態(tài)不變。
（2）截止
陽極—陰極加上反向電壓
BG1和BG2截止。
加大負載電阻RL使電流減少BG1和BG2的基電流也將減少。
當減少到某一個值時由于電路的正反饋作用，電路翻轉為截止狀態(tài)。
這個電流為維持電流IH
可控硅開關的分類
按關斷、導通及控制方式分類
可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。
按引腳和極性分類
可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。
按封裝形式分類
可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。
按電流容量分類
可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。
按關斷速度分類
可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。
可控硅開關應用
可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。
實際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等。
可控硅和其它半導體器件一樣，其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業(yè)、農業(yè)、交通運輸、軍事科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。
可控硅器件是一種非常重要的功率器件，可用來作高電壓和高電流的控制。可控硅器件主要用在開關方面，使器件從關閉或是阻斷的狀態(tài)轉換為開啟或是導通的狀態(tài)，反之亦然。
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