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      7. MOSFET正向導通,反向導通等效電路介紹
        • 發布時間:2022-05-14 19:45:22
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        • 閱讀次數:
        MOSFET正向導通,反向導通等效電路介紹
        功率MOSFET的正向導通等效電路
        (1):等效電路
        MOSFET 正向導通
        (2):說明
        功率 MOSFET 正向導通時可用一電阻等效,該電阻與溫度有關,溫度升高,該電阻變大;它還與門極驅動電壓的大小有關,驅動電壓升高,該電阻變小。詳細的關系曲線可從制造商的手冊中獲得。
        功率MOSFET的反向導通等效電路(1)
        (1):等效電路(門極不加控制)
        MOSFET 正向導通
        (2):說明
        即內部二極管的等效電路,可用一電壓降等效,此二極管為MOSFET 的體二極管,多數情況下,因其特性很差,要避免使用。
        功率MOSFET的反向導通等效電路(2)
        (1):等效電路(門極加控制)
        MOSFET 正向導通
        (2):說明
        功率 MOSFET 在門級控制下的反向導通,也可用一電阻等效,該電阻與溫度有關,溫度升高,該電阻變大;它還與門極驅動電壓的大小有關,驅動電壓升高,該電阻變小。
        詳細的關系曲線可從制造商的手冊中獲得。此工作狀態稱為MOSFET 的同步整流工作,是低壓大電流輸出開關電源中非常重要的一種工作狀態。
        功率MOSFET的正向截止等效電路
        (1):等效電路
        MOSFET 正向導通
        (2):說明
        功率 MOSFET 正向截止時可用一電容等效,其容量與所加的正向電壓、環境溫度等有關,大小可從制造商的手冊中獲得。
        功率MOSFET的穩態特性總結
        (1):功率MOSFET 穩態時的電流/電壓曲線
        MOSFET 正向導通
        (2):說明
        功率 MOSFET 正向飽和導通時的穩態工作點:
        MOSFET 正向導通
        當門極不加控制時,其反向導通的穩態工作點同二極管。
        (3):穩態特性總結
        -- 門極與源極間的電壓Vgs 控制器件的導通狀態;當VgsVth時,器件處于導通狀態;器件的通態電阻與Vgs有關,Vgs大,通態電阻?。欢鄶灯骷腣gs為 12V-15V ,額定值為+-30V;
        -- 器件的漏極電流額定是用它的有效值或平均值來標稱的;只要實際的漏極電流有效值沒有超過其額定值,保證散熱沒問題,則器件就是安全的;
        -- 器件的通態電阻呈正溫度系數,故原理上很容易并聯擴容,但實際并聯時,還要考慮驅動的對稱性和動態均流問題;
        -- 目前的 Logic-Level的功率 MOSFET,其Vgs只要 5V,便可保證漏源通態電阻很??;
        包含寄生參數的功率MOSFET等效電路
        (1):等效電路
        MOSFET 正向導通
        (2):說明
        實際的功率MOSFET 可用三個結電容,三個溝道電阻,和一個內部二極管及一個理想MOSFET 來等效。三個結電容均與結電壓的大小有關,而門極的溝道電阻一般很小,漏極和源極的兩個溝道電阻之和即為MOSFET 飽和時的通態電阻。
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