單結晶體管(簡稱UJT)又稱基極二極管，是一種常用的半導體器件，它雖有三個管腳，很像半導體三極管，但它只有一個pN結，即一個發射極和兩個基極，所以又稱它為雙基極二極管;它的基片為條狀的高阻N型硅片，兩端分別用歐姆接觸引出兩個基極b1和b2，在硅片中間略偏b2一側用合金法制作一個P區作為發射極e。下面來看看其的原理和特性吧：
1.結構
單結晶體管的內部結構、符號表示、等效電路以及引腳排列，如圖1(a)、(b)、(c)、(d)所示。引腳b1、b2分別為第一基極和第二基極(雙基極)，e為發射極。e極和N型硅片間構成一個PN結。PN結A點至兩基極間的等效電阻分別用rb1和rb2表示。兩基極間的電阻用rBB表示，rBB=rb1+rb2。
圖1 單結晶體管結構圖
2.工作原理和特性
單結管的伏安特性曲線示見圖2。共分三個區——截止區、負阻區、飽和區。
圖3為單結管的工作原理圖。在電路中讓基極2(b2)比基極l(b1)電位較正，圖中電源電壓VBB的正極接b2、負極接b1;發射極接觸發電壓VE。
即使單結晶體管處于截止區，從B1到B2仍有少量電流。沿著N型硅片存在著一個電壓梯度VA。發射極電壓VE等于啟動或峰值電壓VP(VP =VA+VD，VD為eb1之間的正向壓降，一般約為0.6~0.7V。)，PN結是正偏置，單結晶體管導通。啟動時，b1和E之間的電阻很快的降低，從b1到b2的電流增加，同時從E也有一個相當大的電流流出，使rb1為低阻態，管子也進入負阻區。VE低于低谷電壓(VV)后，管子進入飽和區，使單結晶體管截止。發射極啟動電壓VP是由分壓比η= rb1/rBB確定的。
圖2典型伏安特性
圖3 工作原理圖
單結晶體管具有負阻特性，利用這一特性可以組成自激多諧振蕩器、階梯波發生器、定時電路等脈沖單元電路，被廣泛應用于脈沖及數宇電路中。
3.主要參數
(1)基極間電阻Rbb發射極開路時，基極b1、b2之間的電阻，一般為2—10千歐，其數值隨溫度上升而增大。
(2)分壓比η由管子內部結構決定的常數，一般為0.3—0.85。
(3)eb1間反向電壓Vcb1b2開路，在額定反向電壓Vcb2下，基極b1與發射極e之間的反向耐壓。
(4)反向電流Ieob1開路，在額定反向電壓Vcb2下，eb2間的反向電流。
(5)發射極飽和壓降Veo在最大發射極額定電流時，eb1間的壓降。
(6)峰點電流Ip單結晶體管剛開始導通時，發射極電壓為峰點電壓時的發射極電流
以上就是單結晶體管的原理和特性介紹了。單結晶體管具有大的脈沖電流能力而且電路簡單，因此在各種開關應用中，在構成定時電路或觸發SCR等方面獲得了廣泛應用。它的開關特性具有很高的溫度穩定性，基本上不隨溫度而變化。
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