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      7. 晶閘管或硅控整流器的基本知識與特點
        • 發(fā)布時間:2021-01-22 18:32:01
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        晶閘管或硅控整流器的基本知識與特點
        一般來說,在設(shè)計電子工程和一般電路時,我們使用許多電氣和電子元件。這些基本組件包括電阻器,晶體管,電容器,二極管,電感器,LED,晶閘管或可控硅整流器,集成電路等。整流器分為兩類:不可控整流器(二極管)和可控整流器(晶閘管)。實際上,許多工程學生和電子愛好者都希望了解電子電氣元件的基本知識。但是,在這篇文章中我們來詳細討論一下晶閘管或者可控硅整流器的基礎(chǔ)知識和特性。
        硅控整流器
        晶閘管或可控硅是一種多層半導體器件,與晶體管相似。可控硅整流器由三個端子(陽極,陰極和柵極)組成,不像兩端二極管(陽極和陰極)整流器。當二極管的陽極電壓大于陰極電壓時,二極管被稱為不受控制的整流器(在正向偏置條件下沒有任何控制)。
        晶閘管
        但是,即使陽極電壓大于陰極電壓,可控硅整流器也不會導通,除非(第三端)柵極端子被觸發(fā)。因此,通過向柵極端子提供觸發(fā)脈沖,我們可以控制晶閘管的操作(ON或OFF)。因此,晶閘管也稱為可控整流器或可控硅。
        硅控整流器基礎(chǔ)
        與二極管中的兩層(PN)和晶體管中的三層(PNP或NPN)不同,可控硅由四層(PNPN)和三個PN結(jié)串聯(lián)而成。可控硅或可控硅由圖中所示的符號表示。
        晶閘管
        可控硅整流器也是一種單向器件,因為它只能在一個方向上傳導。通過適當觸發(fā),晶閘管可以用作開路開關(guān),也可以用作整流二極管。但晶閘管不能作為放大器使用,只能用于門極觸發(fā)脈沖控制的開關(guān)操作。
        晶閘管可以用多種材料制造,如硅,碳化硅,砷化鎵,氮化鎵等。但是,由于硅的良好的導熱性,高電流能力,高電壓能力和經(jīng)濟的加工性使其比其他用于制造晶閘管的材料更受青睞,因此它們也被稱為可控硅整流器。
        硅控整流器工作原理
        晶閘管的工作可以從可控硅的三態(tài)工作模式來理解。晶閘管的三種工作模式如下:
        一、反向阻塞模式
        二、轉(zhuǎn)發(fā)阻止模式
        三、正向?qū)J?/div>
        反向阻止模式
        如果我們反轉(zhuǎn)晶閘管的陽極和陰極連接,則下部和上部二極管反向偏置。因此,沒有傳導路徑,所以沒有電流流動。因此,被稱為反向阻止模式。
        轉(zhuǎn)發(fā)阻止模式
        一般來說,沒有任何觸發(fā)脈沖到柵極端,硅控整流器保持關(guān)斷,指示沒有電流在正向(從陽極到陰極)流動。這是因為我們連接了兩個二極管(上,下二極管都是正向偏置的),形成一個晶閘管。但是,這兩個二極管之間的連接是反向偏置的,這消除了從上到下的電流流動。因此,這個狀態(tài)被稱為前向阻塞模式。在這種模式下,即使晶閘管像傳統(tǒng)的正向偏置二極管那樣具有條件,但由于柵極端不被觸發(fā),所以它不會導通。
        正向?qū)J?/div>
        在正向?qū)J较拢枠O電壓必須大于陰極電壓,第三端子柵極必須適當?shù)赜|發(fā)晶閘管的導通。這是因為,無論何時觸發(fā)柵極端子,下部晶體管將導通上部晶體管上的哪個開關(guān),然后上部晶體管導通下部晶體管,從而晶體管彼此激活。這兩個晶體管的內(nèi)部正反饋過程重復,直到兩個都完全激活,然后電流將從陽極到陰極。所以,這種可控硅的工作模式被稱為正向?qū)J健?/div>
        硅控整流器特性
        晶閘管
        該圖顯示了可控硅整流器的特性,也代表了三種不同模式下的晶閘管操作,例如反向阻斷模式,正向阻斷模式和正向?qū)J健>чl管的VI特性也代表了反向阻斷電壓,正向阻斷電壓,反向擊穿電壓,保持電流,擊穿電壓等,如圖所示。
        硅控整流器應(yīng)用
        可控硅整流器應(yīng)用于大電流,大電流的電路中,如電流大于1kV或大于100A的電力系統(tǒng)電路。
        晶閘管專門用于減少電路中的內(nèi)部功率損耗。可控硅整流器可用于控制電路中的功率,而無需使用晶閘管的開關(guān)控制來實現(xiàn)任何損耗。
        可控硅整流器也用于整流目的,即從交流電到直流電。通常,可控硅用于交流 - 交流轉(zhuǎn)換器(cycloconverters),這是可控硅最常見的應(yīng)用。
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