1：歐姆接觸（Ohmic contacts）
2：肖特基接觸(Schottky contacts)
3：肖特基勢(shì)壘高度（Schottky barrier height，SBH，?B）
3：肖特基二極管(SBD)
關(guān)于歐姆接觸和肖特基接觸的概念和區(qū)別，我已經(jīng)在上一篇文章中介紹清楚了，放上鏈接：
TIAN：歐姆接觸與肖特基接觸
那么，肖特基二極管是什么？
Fig. 1 the structure of schottky diode
從上圖可以看出，肖特基二極管的構(gòu)成，除了中間的半導(dǎo)體層，就是歐姆接觸和肖特基接觸了。而歐姆接觸我們前面已經(jīng)介紹過(guò)了，現(xiàn)在介紹肖特基接觸。
1）物理性質(zhì)
肖特基金屬-半導(dǎo)體界面的載流子傳輸通常是通過(guò)載流子在阻擋層上的熱電子發(fā)射而發(fā)生的，在正偏情況下：
飽和電流濃度為：
其中，V是施加的電壓，n是理想因子，A*是有效Richardson常數(shù)，T是溫度，q是元電荷，k是玻爾茲曼常數(shù)，?B是肖特基勢(shì)壘高度（SBH）。理想因子說(shuō)明了與熱電子發(fā)射理論的偏差。下面，上能帶圖。
a) before contact b)after contact
熱力學(xué)規(guī)定，metal-semiconductor contact必須遵從 Schottky-Mott 規(guī)則：
但是，注意到，這個(gè)公式只是理想模型，實(shí)際中，SBH收到如鏡像力（image force）,界面缺陷等的因素，實(shí)際的值會(huì)低于理想值。
2）特性
正向電流電壓特性和反向電流電壓特性
關(guān)斷電流
導(dǎo)通電阻
擊穿電壓
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